<h4 align="center">WIGNER SZFI SZEMINÁRIUM</h4>
<h2 align="center">VÖRÖS MÁRTON</h2>
<p align="center">(Institute for Molecular Engineering, University of Chicago, vendéglátó: Gali Ádám)</p>
<h2 align="center">"Molecular design of nanocrystals for efficient third generation photovoltaics using first principles simulations"</h2>

<p align="center">Időpont: 2015. augusztus 10. (hétfő;) 10:00 (1 óra)<br>
Hely: MTA Wigner FK SZFI, I. épület 1. emeleti Tanácsterem</p>
<h3>Összefoglaló:</h3>
<p dir="ltr"><span style="font-size: medium;">Semiconductor nanocrystal (NC) solar cells hold the promise of delivering photoconversion efficiencies going above the well-known Shockley-Queisser (SQ) limit of ~33% for single junction bulk solar cells. The highest delivered device efficiency to date is still at 10%, and one of main reasons for such a performance deficit is the imperfect passivation of the surface of nanocrystals, which leads to the formation of undesired states in their energy gap. Such states may act as unwanted recombination centers. Although experimental techniques can provide a wealth of data on the electronic structure of NCs, they only yield indirect information on the nature of surface states. An accurate, atomistic description of the nanocrystal surface and of the effect of surface states is thus of key importance.</span></p>
<p dir="ltr"><span style="font-size: medium;">We developed an atomistic framework based on density functional theory to understand and predict the non-radiative trapping and recombination at defects at the surface of nanocrystals.[1] In particular, we found that dangling bonds at the surface of silicon NCs can indeed efficiently capture charges. We predicted that engineering the strain at the interface of the nanocrystals and their embedding matrix would reduce the non-radiative recombination rate. Our method can be used to understand the effect of gap-states in nanostructured solar cells and to search for design principles to remediate trapping.</span></p>
<p dir="ltr"><span style="font-size: medium;">Instead of eliminating them, one may turn the presence of gap states into an advantage. The intermediate band (IB) paradigm of solar energy conversion promises to deliver efficiencies well over the SQ limit. This is achieved by introducing a suitably positioned IB within the band gap of the absorber which would allow for absorbing photons with below band-gap energy. In our recent work, we proposed that colloidal nanocrystal solar cells would provide an ideal platform for implementing the IB paradigm.[2] We showed that surface reconstruction in CdSe nanocrystals forms an IB in solids of nanocrystals. We found that the IB can be doped by decamethylcobaltocene thereby activating the absorption channels needed for the operation of the IB paradigm.</span></p>
<p dir="ltr"><span style="font-size: medium;">[1] Nicholas P. Brawand, Márton Vörös, and Giulia Galli, Nanoscale 7, 3737 (2015).</span><br /><span style="font-size: medium;"> [2] Márton Vörös, Giulia Galli, and Gergely T. Zimanyi, ACS Nano, Article ASAP, DOI: 10.1021/acsnano.5b00332 (2015).</span></p>
       
<p><b>Részletes információ:</b>
    <a href="http://www.szfki.hu/seminar">http://www.szfki.hu/seminar</a></p>
<h4 align="center">Minden érdeklődőt szívesen látunk!</h4><p align="center">Asbóth János<br>szfi-seminar@wigner.mta.hu</p><p> </p>