<h4 align="center">WIGNER SZFI SZEMINÁRIUM</h4>
<h2 align="center">XAVIER MARTI</h2>
<p align="center">(Czech Academy of Sciences, vendéglátó: Péter László)</p>
<h2 align="center">"Antiferromagnetic spintronics"</h2>

<p align="center">Időpont: 2015. december 01. (kedd) 10:00 (1 óra)<br>
Hely: MTA Wigner FK SZFI, I. épület 1. emeleti Tanácsterem</p>
<h3>Összefoglaló:</h3>
<p><span style="font-size: medium;">Spintronics has revolutionized our lives: industrial automated assembly lines are supported by a plethora </span><span style="font-size: medium;">of magneto-resistive positioning sensors; many navigation systems rely on electronic compasses; many </span><span style="font-size: medium;">intrusion detection systems comprise magneto-resistive probes which detect minimal perturbations in the </span><span style="font-size: medium;">Earth magnetic field; our data and personal information is being read by magneto-resistive read-heads. A </span><span style="font-size: medium;">detailed inspection of the research field reveals that ferromagnets have doubtlessly played a key role in </span><span style="font-size: medium;">spintronics pushing antiferromagnets away from the highlights. A very significant statement summarizes it </span><span style="font-size: medium;">all: “Interesting and useless” - this was the common perception of antiferromagnets expressed quite </span><span style="font-size: medium;">explicitly, for example, in the 1970 Nobel lecture of Louis Neel [1].</span></p>
<p><span style="font-size: medium;">In this seminar, I will review the recent efforts towards bringing antiferromagnets back to the highlights of </span><span style="font-size: medium;">spintronics research. The fundamental strategies for writing and reading in antiferromagnets will be detailed </span><span style="font-size: medium;">[2,3]. Next, we will show that anisotropic magnetoresistance is observed in antiferromagnetic metallic </span><span style="font-size: medium;">systems [4], and semiconductors [5]. We will present the seminal experiments in integrating </span><span style="font-size: medium;">antiferromagnets in magnetic tunnel junctions [6,7]. Finally, we will address a crucial question: “what </span><span style="font-size: medium;">the advantages of using antiferromagnets and which industrial applications could benefit from it?”</span></p>
<p> </p>
<p><span style="font-size: medium;">References:</span></p>
<p><span style="font-size: medium;">[1] L. Neel, “Magnetism and the local molecular field”, Nobel lecture<br /></span><span style="font-size: medium;">http://www.nobelprize.org/nobel prizes/physics/laureates/1970/neellecture.pdf</span></p>
<p><span style="font-size: medium;">[2] T. Jungwirth, X. Marti, et al., “Antiferromagnetic spintronics”, </span><span style="font-size: medium;">Review commissioned by Nature Nanotechnology, submitted, </span><span style="font-size: medium;">Pre-print: http://arxiv.org/abs/1509.05296</span></p>
<p><span style="font-size: medium;">[3] X. Marti, I. Fina, et al., “Prospect for antiferromagnetic spintronics”, </span><span style="font-size: medium;">IEEE Transactions on Magnetics 51(4), 2900104 (2015) </span><span style="font-size: medium;"><br /></span></p>
<p><span style="font-size: medium;">[4] X. Marti, I. Fina, et al., “Room-temperature antiferromagnetic memory resistor”, </span><span style="font-size: medium;">Nature Materials 13, 367–374 (2014) </span></p>
<p><span style="font-size: medium;">[5] I. Fina, X. Marti, et al., “Anisotropic magnetoresistance in antiferromagnetic semiconductor Sr2IrO4 epitaxial<br /></span><span style="font-size: medium;">heterostructure”, </span><span style="font-size: medium;">Nature Communications 5, 4671 (2014) </span></p>
<p><span style="font-size: medium;">[6] B.G. Park, J. Wunderlich, X. Marti, et al., “A spin-valve-like magnetoresistance of an antiferromagnet-based<br /></span><span style="font-size: medium;">tunnel junction”, </span><span style="font-size: medium;">Nature Materials 10, 347 (2011)</span></p>
<p><span style="font-size: medium;">[7] D. Petti, E. Albisetti, et al., “Storing magnetic information in IrMn/MgO/Ta tunnel junctions via field-cooling”,<br /></span><span style="font-size: medium;">Appl. Phys. Lett. 102, 192404 (2013) </span></p>
       
<p><b>Részletes információ:</b>
    <a href="http://www.szfki.hu/seminar">http://www.szfki.hu/seminar</a></p>
<h4 align="center">Minden érdeklődőt szívesen látunk!</h4><p align="center">Asbóth János<br>szfi-seminar@wigner.mta.hu</p><p> </p>